低压差线性稳压器主要参数及优缺点

        接地电流，也成为静态电流，负载调整率（此值越小，LDO抑制负载的能力越强）线性调整率（越小，输入电压对输出电压影响越小，LDO性能越好）电源抑制比（PSSR）,反映了德力西LDO对干扰信号的抑制能力。

        低压降（LDO）线性稳压器的成本低、噪音低、静态电流小、外接元件也很少，通常只需一两个旁路电容，且具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。LDO是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。PG是新一代LDO，具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为Power Good，即“电源好或电源稳定”。 很多LDO仅需在输入端及输出端各接一颗电容即可稳定工作。

        新的LDO可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。 LDO线性稳压器有这样的性能提升主要原因：其使用的调整管是用P沟道MOSFET，P沟道MOSFET是电压驱动的，无需电流，降低了器件本身消耗的电流，其上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。；普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。在采用PNP晶体管的电路中，为防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可太低。