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低压差线性稳压器主要参数及优缺点

发布日期:2022-10-25 00:00:00     作者:德力西旗舰店
摘要: 接地电流,也成为静态电流,负载调整率(此值越小,LDO抑制负载的能力越强)线性调整率(越小,输入电压对输出电压影响越小

        接地电流,也成为静态电流,负载调整率(此值越小,LDO抑制负载的能力越强)线性调整率(越小,输入电压对输出电压影响越小,LDO性能越好)电源抑制比(PSSR),反映了德力西LDO对干扰信号的抑制能力。

        

        低压降(LDO)线性稳压器的成本低、噪音低、静态电流小、外接元件也很少,通常只需一两个旁路电容,且具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。LDO是一个自耗很低的微型片上系统(SoC)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET,肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。PG是新一代LDO,具各输出状态自检、延迟安全供电功能,也可称之为Power Good,即“电源好或电源稳定”。 很多LDO仅需在输入端及输出端各接一颗电容即可稳定工作。

        

        新的LDO可达到以下指标:输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。 LDO线性稳压器有这样的性能提升主要原因:其使用的调整管是用P沟道MOSFET,P沟道MOSFET是电压驱动的,无需电流,降低了器件本身消耗的电流,其上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小,因而它上面的电压降非常低。;普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。在采用PNP晶体管的电路中,为防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力, 输入和输出之间的电压降不可太低。

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