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LDO的参数解析说明

发布日期:2022-08-28 00:00:00     作者:德力西旗舰店
摘要: 输入输出电压差(Drop-out Voltage):这个应该没什么好说的吧,卖的就是这个了~~理论上当然越低越好

1) 输入输出电压差(Drop-out Voltage):这个应该没什么好说的吧,卖的就是这个了~~理论上当然越低越好。一般PMOS可以做到200mV。


2) PSRR:这就是LDO经典的参数电源纹波抑制比(Power Supply Ripple Rejection),它是很多LDO芯片用来衡量LDO对不同频率输入电源纹波的抑制能力,它反映的是LDO不受噪声和电压波动而保持输出电压稳定的能力(抗干扰能力)。其计算公式为输出电压和输入电压纹波幅度的比值,所以PSRR值越低越好。(反之则反)


3) 超低静态电流Iq(Quiescent):这种主要应用在传感器一类的元件中,大部分时间都是休眠的,所以在静止状态下的电流是待机的主要杀手,它主要是直接对地进行电流测试(一般几个uA)。


4) Vin MIN: 最小值决定了你是否能开启LDO的调整管,因为当Vin小于1V时(RTK standard),可能Vin-Vout无法开启调整管则无法工作,此时必须外接charge pump给误差放大器了,那我们就干脆选用NMOS做调整管了。


5) 线性调整率/负载调整率:


a. 线性调整率(Liner regulation):输出电压的变化与输入电压的变化比值(ΔVout/ΔVin)。


b. 负载调整率(Load regulation):指输出电压随负载电流的变化情况(ΔVout/ΔIout)。


这两个参数都对应电路的稳态响应特性,通常情况下,输出电压随输入电压的降低及负载电流的增大而降低。要想提高线路及负载调整率,较为直接的方法是提高环路增益。


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